epitaksija
Lietojuma biežums :
epitaksija
Orientēta viena kristāla augšana uz cita kristāla (paliktņa) virsmas.
Avoti: LPE
Korpusa piemēri
Korpusa piemēri
Šie piemēri no latviešu valodas tekstu korpusa ir atlasīti automātiski un var būt neprecīzi.
- Pēc būtības, vājās epitaksijas parādība no tekstūras veidošanās atšķiras tikai ar to, ka epitaksijas gadījumā dīgļiem rodas papildus azimutāla orientācija.
- Jāpiezīmē, ka kārtiņu struktūras veidošanās un epitaksijas mehānisms līdz šim laikam pilnībā nav izskaidrots, kaut arī eksistē ļoti plašs empīriskas informācijas klāsts.
- Pseidoamorfisma teorija d od " stiprās" epitaksijas aprakstu, kad kondensāta veidošanās sākums ir monoslāņa izveidošanās, uz kuru stipri iedarbojas paliktņa kristāliskais lauks. Vājo epitaksiju raksturo labi izteiktas starpfāzu robežvirsmas eksistence un kontaktējošiem režģiem neeksistē stingri ierobežojumi, kā stiprās epitaksijas gadījumā.
- 1968. gadā Dž. Arturs un A. Čo izstrādāja molekulārā kūļa epitaksiju, kas pusvadītāju mikroshēmas un lāzera matricas ļāva izgatavot pa vienam atomu līmenim vienā reizē.
- Lai nogulsnētu CdTe un CdS kā p/ n tipa materiālus, tiek izmantota molekulārā staru kūļa epitaksija, un, lai nogulsnētu konformālu indija-alvas oksīda pārklājumu kā caurspīdīgu augšējo kontaktu, tiek izmantota jonu atbalstīta uzklāšana.